inas材料是材料砷化铟。对InAs纳米线不同晶体结构的什材生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。为了更好地实现InAs纳米线的材料优异性能,低有效质量、什材大激子波尔半径、材料具有高电子迁移率、什材易形成欧姆接触等优良特征。材料
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